安陽縣曲溝鎮匯鑫冶金耐材加工部

（2）作為冶金脫氧劑和耐火高溫材料，（廚房用的不粘鍋就是用碳化硅制作的。）（3）高純度的單晶，可用于制造半導體，制造碳化硅纖維碳化硅顆粒。（4）用于半導體、避雷針、電路元件、高溫應用、紫外光偵檢器、結構材料、天文、碟剎、離合器、柴油微粒濾清器、細絲高溫計、陶瓷薄膜、裁切工具、加熱元件、、珠寶、鋼、護具、觸媒擔體等領域。雜質含有率為500ppm以下的高純碳化硅粉末。該碳化硅粉末為硅酸質原料和碳質原料混合而成的碳化硅制造用原料，通過利用艾奇遜爐4的發熱體2對碳質原料與硅酸質原料的混合摩爾比(C/SiO2)為2.5～4.0且雜質含有率為120ppm以下的碳化硅制造用原料進行加熱，可以得到該高純碳化硅粉末。以往以來，高純碳化硅(SiC)被廣泛用作拋光或磨削材、陶瓷燒結體和導電性材料等工業用材料。特別是，由于近來節能意識的提高、棄引起的期待活用自然再生能源等社會背景，需求高純碳化硅粉末作為功率半導體等中使用的單晶材料。而50碳化硅與[O]直接反應時，其脫氧能力要比硅鐵粉與[O]反應的脫氧能力強。從動力學討論，用碳化硅脫氧的產物中除和硅鐵粉脫氧時一樣產生SiO2外，同時還伴有CO氣體產生，生成的CO氣泡在上浮過程中對爐渣產生攪拌作用，使渣層活躍，促使了反應界面的更替，加快了氧在洛中的傳質速度，從而有利于使整個脫氧過程速度加快，獲得比硅鐵粉脫氧更好的動力學條件。當坯體在爐內受熱時坯體周圍的Si熔融，滲入到坯體的毛細管中同坯體中的C反應生成SiC。產生的SiC逐漸填充坯體中的孔隙，并把原有的α-SiC連結起來，達到制品的致密化，并獲得強度。由此可見，碳化硅的制備過程離不開碳源。碳源的選項有石墨、炭黑、樹脂等，其中炭黑是使用歷史較為長久的一種。但在實際應用中，炭黑的用量也需講究一個度，加多加少都會對碳化硅的組織與性能造成極大的影響，因此許多研究員開始對其適宜用量展開了研究

太陽能硅片加工切割方法，采用上述設備進行加工，加工步驟如下:步驟一，將浮筒固定于切片機的漿料罐內頂部一側，使得漿料罐內的砂漿攪拌葉能夠正常運作；步驟二，向漿料罐內添加500KG份量的新砂漿；步驟三，啟動切片機，漿料罐中的砂漿充分的循環使用，并成功將太陽能硅塊切片。通過使用本加工方法，能夠有效的降低切片機加工時對砂漿的需求量，提高砂漿使用效率，并不影響硅片的加工質量標準，從而降低太陽能硅片加工的成本，節省85碳化硅資源。本方法使用簡單，便于操作，通過簡單的浮筒使用即可實現，不需要對切片機裝置進行改裝和拆卸，使用成本低廉，節約85碳化硅效果明顯。

3、碳化硅(SiC)對澆注料性能的影響如下

⑴SiC本身具有忌水性，不易受潮，不易形成水膜層，因此澆注料的用水量增加。因此，SiC含量越多，澆注料和易性差，流動性差，冷抗折強度下降

⑶因SiC體積密度(2.6~2.8g/cm3)大于陶瓷密度(2.2~2.4g/cm3)，所以SiC含量越多，材料體積密度越大。溫度上升時，SiC含量多的話，體積密度會增加。對物料線變化的影響，SiC含量表現為負值。

⑶SiC含量有利于澆注料的強度，特別是在高溫(1100℃)下。特別是當SiC粒度為150目時，不可能完全氧化，在SiC粒子周圍產生部分間隙，提高了澆注料的耐熱震穩定性和強度。未氧化的SiC也起到顆粒增強體的作用。

⑶SiC含量越多，越有利于材料的抗結皮性能。