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2022-05-22 09:18:35
碳化硅(SIC)是半導體界公認的“一種未來的材料”,是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5~10年將會快速發展和有顯著成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅(SI)材料的負載量已到達極限,以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。 根據數據顯示,碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實在,且發展前景良好。這種趨勢非但不會改變
燒結碳化硅,碳化硅行業還會進一步向前發展。用戶正在嘗試碳化硅技術,以應用于具體且具有發展前景的項目。

作為工業上批量生產碳化硅的技術,已知一種方法,將含硅(Si)的硅酸質原料(例如硅砂)和含碳的碳質原料(例如石油焦)作為原料,在艾奇遜爐中以1600°C以上的條件進行加熱,由此通過直接還原反應來制造碳化硅。在以往以來所進行的這種利用艾奇遜爐的制造中,原料中雜質含有率高,難以進行雜質的控制,因此無法制造高純碳化硅粉末。
因此,提出了對純度低的碳化硅粉末進行高純度化的方法。

如果鋼液面直徑>800mm,則加入石灰2~3kg/t鋼;如果鋼液面直徑在200~500mm之間,說明渣量合適;如果鋼液面直徑小于200mm,表明渣量過多,不再加入石灰;如渣面不隨鋼液面蠕動,爐渣成塊,表明渣未化開,加入螢石0.2~1.2kg/t鋼;在使用碳化硅之前采用低檔位化渣,如渣面發泡,采用中位加熱。觀察爐渣外形,如爐渣斷面呈蜂窩狀,表面光潔,表明已成渣,但氧化性強;如渣塊致密,表面粗糙不平,表明石灰量過大,渣系還未形成;

88-90二級碳化硅呈黑色,除了可以用在玻璃、陶瓷、耐火材料之外,主要的是要用于鑄鐵工業中。三級碳化硅主要用于鋼廠煉鋼脫氧。 黑碳化硅顆粒根據客戶需求可定做的0-5/10mm,1-5/10mm,3-5mm ,,8-325目粒度的顆粒。 碳化硅砂又叫金剛砂,分段砂和號砂兩種,碳化硅的型號也是根據其目數而進行區分,一般以8目-320目,型號越大,粒度越細,大于320目一般稱作碳化硅微粉。

利用82碳化硅脫氧降低出鋼增氮量的方法包括在120噸轉爐、120噸鋼包爐冶煉情況下,控制轉爐出鋼的碳含量為0.0542%,終點氧含量486ppm,往鋼包內加入82碳化硅138kg,出鋼過程中先加石灰450kg和預熔精煉渣112kg,接著加磷鐵、鉻鐵、錳鐵、銅合金,出鋼結束加鋼水精煉調渣劑100kg,過程取樣進行氮含量分析,轉爐終點氮含量為19.8ppm,站取樣氮含量為21.5ppm,成品鋼氮含量為31ppm,出鋼增氮量僅為1.7ppm。鋼包底吹氣為鋼包底吹氣>30m3/h。

因此,得到的鋼純度較低,不符合多個精細領域的使用要求和標準。為了克服上述缺陷,科研工作者進行了大量的深入研宄,并取得了一些成果。例如,利用65碳化硅生產潔凈鋼的生產方法,該方法在煉制過程中可以盡量避免產生難以去除的硅類和鋁類氧化物,在一定程度上提高了潔凈鋼的純度。例如,利用65碳化硅生產潔凈鋼的生產方法,該方法在煉制過程中可以盡量避免產生難以去除的硅類和鋁類氧化物,在一定程度上提高了潔凈鋼的純度。